玉崎科學XTRAIA CD-3200T半導體設備理學Rigaku高精度射線
玉崎科學半導體設備理學Rigaku高精度射線

透射射線CD測量工具

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詳細介紹

玉崎科學半導體設備理學Rigaku高精度射線

TSAXS 是一種用于 CD 測量的在線小角度 X 射線散射方法。

兼容最大 300 毫米的晶圓

端器件微形狀（淺圖案/深圖案）測量設備

可以對納米結構進行無損測量，例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。獲得反映橫截面形狀的 X 射線衍射圖像。

XTRAIA CD-3200T 概述

我們提供一系列適合各種形狀半導體器件的設備。

可以非破壞性地測量納米結構，例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。

無需任何事先準備（例如文庫）即可開始測量和分析。準確測量抗蝕劑等有機材料，無收縮。

方法	小角 X 射線散射 - 透射模式 (TSAXS)
目的	高深寬比 (HAR) 結構的關鍵尺寸測量
X射線源	旋轉陽極陰極（Mo Ka，17.4 keV）
X射線光學系統(tǒng)	多層鏡光學系統(tǒng)
X射線探測器	HyPix 6000HE (2D)
主要部件	圖案化晶圓的測量周期性微小 3D 形狀深孔/柱結構 DRAM、3D-NAND、3D LSI 結構
特征	模式識別和全晶圓映射
選項	GEM300 軟件，E84/OHT 支持
機身尺寸	4020（寬）×2500（深）×3450（高）毫米
測量目標	節(jié)距、CD、高度、側壁厚度、SWA（側壁角度）、RT（圓頂）、RB（圓底）、CD分布、節(jié)距分布、高度分布

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